Mechanismen und Manipulation der Musterbildung auf Si(001)
Prof. Dr. Th. Michely
Universität zu Köln
Bedingt durch die spezifischen experimentellen Möglichkeiten zu
höchstauflösenden und temperaturabhängigen mikroskopischen
in situ Experimenten stehen im P4 zwei grundlegende Aspekte im Vordergrund.
Zum einen wird der Oberflächenschaden einzelner Ionen und sein
Ausheilverhalten quantitativ charakterisiert und in Zusammenhang zu
den Mechanismen der Anfangsstadien der Musterbildung gesetzt werden.
Diese Information soll einen neuen Ausgangspunkt für atomistische
Simulationen bieten. Zum anderen werden durch temperaturabhängige
Untersuchungen zwei Teilfragen beantwortet werden. Erstens, wie die
Musterbildung davon abhängt ob die bestrahlten Oberflächen
unter Ionenbeschuss amorphisieren und welche die grundlegenden Mechanismen
dieser Abhängigleit sind. Zweitens, ob ggf. temperaturabhängige
Glättungsprozesse entscheidend für die Musterbildung und damit
auch ihre theoretische Modellierung sind.
In einem dritten Aspekt des Teilprojektes geht es darum zu bestimmen,
ob die Musterbildung durch bislang nicht in Betracht gezogene Faktoren
beschleunigt oder verändert werden kann: Der Einfluss kodeponierter
metallischer Verunreinigungen und die Anwesenheit von regelmäßigen
Verzerrungsfeldern auf die Musterbildung werden untersucht.
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