Strukturaufklärung und Elektronenmikroskopie

Abbildung einer Grenzfläche zwischen w-GaN und c-GaN
Atomar aufgelöste ABF-STEM-Abbildung einer Grenzfläche zwischen w-GaN und c-GaN

Strukturelle und chemische Charakterisierung von Festkörpern auf atomarer Ebene ist eine wichtige Voraussetzung für das Verständnis der Zusammenhänge zwischen Materialstruktur und Materialeigenschaften sowie zwischen Herstellung und Struktur. Analytische Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) ist eine der leistungsfähigsten Untersuchungsmethode im materialwissenschaftlichen Bereich und ermöglicht es die Struktur und Eigenschaftskorrelationen der Materialien effizient darzustellen. Der Arbeitsbereich umfasst die wissenschaftliche Forschung auf dem Gebiet der Strukturanalyse von Grenzflächen und dünnen Schichten mittels hochauflösender TEM und Elektronenspektroskopie. Die Untersuchungen werden an einem leistungsstarken TEM (Titan3 G2 60-300 ausgestattet mit Cs-Sondenkorrektor, GIF und Super-X System) durchgeführt. Außerdem steht ein Hitachi 8100 für die Voruntersuchungen der TEM-Proben sowie ein REM (ESEM Quanta 250) für die Untersuchungen der Probenoberflächen zur Verfügung.

Ausgewählte Publikationen

  • A. Lotnyk, D. Poppitz, J.W. Gerlach, B. Rauschenbach, Direct imaging of light elements by annular dark-field aberration-corrected scanning transmission electron microscopy, Appl. Phys. Lett. 104 (2014), 071908.

  • U. Ross, A. Lotnyk, E. Thelander, B. Rauschenbach, Direct imaging of crystal structure and defects in metastable Ge2Sb2Te5 by quantitative aberration-corrected scanning transmission electron microscopy, Appl. Phys. Lett. 104 (2014), 121904.

  • D. Poppitz, A. Lotnyk, J.W. Gerlach, B. Rauschenbach, Microstructure of porous gallium nitride nanowall networks, ACTA MATER 65 (2014), 98-105.