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F&E Schwerpunkte / Schwerpunkt: Schichtabscheidung
Schichtwachstum bei der MePIIID
Der Vorteil der MePIIID liegen bei dem nichtthermischen Energieeintrag
der beschleunigten Ionen und der gleichzeitigen atomaren Durchmischung
der Implantationszone. Dadurch ergeben sich sehr gute haftende Verbindungen
zwischen Substrat und aufwachsender Schicht.
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Grenzschichtdurchmischung bei der MePIIID: TiO2 auf Si. Zusätzlich
zur durchmischten Zone existiert noch eine amorphisierte Oberflächenschicht
im Siliziumsubstrat. |
Analog zur ionengestützten Schichtabscheidung findet sich bei der
MePIIID eine Vorzugsorientierung der Schichten, wobei diese durch Variation
der Pulsspannung und Pulslänge definiert eingestellt werden kann.
Trotz des kolumnaren Wachstum mit Kristallitdurchmessern von 50 –
500 nm erhält man sehr kompakte Schichten mit hoher Dichte und fast
keinen offenen Pfaden entlang der Korngrenzen.
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Texturentwicklung bei der MePIIID: TiN. Die Orientierung der Fasertexur
bzw. der biaxialen Textur kann gezielt eingestellt werden.
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Ausgewählte Publikationen zu diesem Forschungs- und Entwicklungsschwerpunkt
- S. Mändl,
G. Thorwarth, D. Manova, B. Rauschenbach, Influence of Ion
Energy on Titanium Oxide Formation by Vacuum Arc Deposition
and Implantation, Nucl. Instrum. Meth. B 178, 148–153
(2001).
- S. Mändl, B. Stritzker, B. Rauschenbach,
In-Situ Diffusion Measurements During RBS Analysis of Polymers
Coated with Aluminium, Nucl. Instrum. Meth. B 190, 728-731
(2002).
- P. Huber, D. Manova, S. Mändl,
B. Rauschenbach, Homogeneity of Metal Plasma Immersion Ion
Implantation and Deposition, Vacuum 69, 133–137 (2003).
Kontakt
PD Dr. Stephan Mändl
Tel.: +49 (0)341 235-2944,
email:
stephan.maendl (at) iom-leipzig (Punkt) de
Siehe auch
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