Galliumoxid (Ga₂O₃) ist ein vielversprechendes Halbleitermaterial für den Einsatz in der Hochleistungselektronik, UV-Detektoren und Gassensoren. Dieses Halbleiteroxid der vierten Generation zeichnet sich durch eine extrem breite Bandlücke und eine hohe Durchschlagspannung aus. Es  wird  deshalb seit einigen Jahren intensiv erforscht.
Wissenschaftler am IOM möchten einen Beitrag liefern und die Möglichkeiten des Ionenstrahlsputterns für die Abscheidung qualitativ hochwertiger Ga₂O₃-Schichten untersuchen. In einem ersten Schritt wurden die Eigenschaften der Teilchen untersucht (Energie, Winkelverteilung), die beim Ionenstrahlsputtern (IBSD) von Ga₂O₃ in Abhängigkeit von verschiedenen Prozessparametern, wie der Sputtergeometrie, der Art und Energie der einfallenden Ionen und des Prozessgasdruckes, entstehen. Diese Teilchen bringen während der Abscheidung Energie in die wachsende Schicht ein. Die Kenntnis und Kontrolle ihrer Energien ist von großem Nutzen, einerseits für das Verständnis des Prozesses und andererseits für die Anpassung der Schichteigenschaften bzw. das Wachstum hochwertiger Ga₂O₃-Schichten.

Die Ergebnisse der Untersuchungen wurden kürzlich in der Zeitschrift Journal of Vacuum Science & Technology A veröffentlicht.

Weitere Informationen zum Artikel:

Properties of secondary ions in ion beam sputtering of Ga₂O₃
Dmitry Kalanov, André Anders, Carsten Bundesmann
J. Vac. Sci. Technol. A, 2021, 39, 053409
https://avs.scitation.org/doi/10.1116/6.0001204

Der Vorabdruck ist ebenfalls verfügbar:
https://www.researchgate.net/publication/353994196