Aufgrund seiner sehr großen Bandlücke und seiner außergewöhnlichen elektrischen Durchbruchfeldstärke gilt Galliumoxid als eines der interessantesten Halbleitermaterialien und ist Gegenstand umfangreicher Forschungsarbeiten. Seit mehreren Jahren untersuchen Forschende des Forschungsbereichs Barriere- und Präzisionsschichtungen am IOM das Aufwachsen von Ga₂O₃-Dünnschichten unter Verwendung verschiedener Abscheidungsverfahren. Ihre neueste Veröffentlichung beleuchtet die Herausforderungen bei der korrekten Interpretation von Röntgen-Rocking-Kurven von Ga₂O₃-Dünnschichten, die durch Ionenstrahl-Sputterabscheidung und gepulste Laserdeposition heteroepitaktisch auf c-Ebenen-Saphirsubstraten gewachsen sind.
Die Studie wurde kürzlich als Open-Access-Artikel im Journal of Applied Physics veröffentlicht:
D. Kalanov, A. Lotnyk, J. W. Gerlach, V. Roddatis, C. Petersen, C. Bundesmann, H. von Wenckstern, Y. Unutulmazsoy
On the interpretation of the XRD rocking curves of heteroepitaxial Ga2O3 thin films grown on c-plane sapphire
J. Appl. Phys. 139 (2026) 015302, https://doi.org/10.1063/5.0301746