A. Anders
Surface and Coating Technology, 257, 308 (2014)
https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2014.08.04

Das Hochleistungsimpuls-Magnetronsputtern (HiPIMS) kombiniert die Vorteile des Magnetronsputterns mit verschiedenen Formen der energetischen Abscheidung von Schichten wie Ionenplattieren und Kathodenbogen-Plasmaabscheidung. In dieser Übersicht wird ein Überblick über einige historische Entwicklungen und Merkmale von Kathodenbogen- und HiPIMS-Plasmen gegeben, wobei Gemeinsamkeiten und Unterschiede aufgezeigt werden. Um den Umfang zu begrenzen, wird der Schwerpunkt auf die Plasmaeigenschaften gelegt, im Gegensatz zu einer Übersicht über die umfangreiche Literatur zu spezifischen Filmmaterialien und deren Eigenschaften.

A. Anders
Thin Solid Films, 518 (15), 2010, 4087-4090
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2009.10.145

In dieser Arbeit wird ein erweitertes Strukturzonendiagramm vorgeschlagen, das die energetische Abscheidung einschließt, die durch einen großen Ionenfluss gekennzeichnet ist, der typisch für die Abscheidung durch gefilterte kathodische Lichtbögen und das Hochleistungs-Impuls-Magnetron-Sputtern ist.

A. Anders
J. Appl. Phys. 121 (2017) 171101
https://doi.org/10.1063/1.4978350

In diesem häufig zitierten Tutorial wird das Hochleistungs-Impuls-Magnetron-Sputtern (HiPIMS) als Beschichtungstechnologie erläutert, das Magnetron-Sputtern mit gepulsten Leistungen kombiniert: Durch Anlegen der Leistung in Impulsen mit hoher Amplitude und einem relativ niedrigen Tastverhältnis werden große Anteile der gesputterten Atome und Gasen nahe des Targets ionisiert. Dieses Tutorial ist auch auf die "reaktive" Abscheidung von Schichten bezogen, was bedeutet, dass ein "reaktives" Gas wie Sauerstoff oder Stickstoff beteiligt ist, um Oxid- oder Nitridbeschichtungen herzustellen.

M. Rudolph, N. Brenning, M. A. Raadu, H. Hajihoseini, J. T. Gudmundsson, A. Anders, D. Lundin
Plasma Sources Science and Technology, 29 (5), 2020, 05LT01
https://doi.org/10.1088/1361-6595/ab8175

Hochleistungs-Impuls-Magnetronsputtern (HiPIMS) ist eine Technik der physikalischen Gasphasenabscheidung mit hoher Ionisierierungsrate der abzuscheidendenen Materialien. Es wird gezeigt, dass die typischerweise geringere Abscheiderate vom HiPIMS im Vergleich zu kontinuierlichem Sputtern (dcMS) gesteigert werden kann, indem die Pulslänge verkürzt wird. Wenn dabei gleichzeitig die Peak-Stromstärke beibehalten wird, kann ein Gewinn in der Abscheiderate ohne Kompromisse beim Ionenfluss auf das Substrat erreicht werden.

D. Kalanov, A. Anders, C. Bundesmann
J. Vac. Sci. Technol. A 37 (2019) 051507
https://doi.org/10.1116/1.5114973

Systematische Untersuchungen der Eigenschaften der Sekundärteilchen in Abhängigkeit von verschiedenen Prozessparametern für den Beschuss eines Zinn-dotierten Indiumoxidtargets mit Ar-Ionen sind beschrieben. Die Teilcheneigenschaften hängen zuvorderst von der Prozessgeometrie ab, aber auch von der Primärionenenergie.